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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB

总分
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

总分
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Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB

Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB

差异 规格 评论

差异

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB 需要考虑的原因
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB 需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    48 left arrow 60
    左右 -25% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    10.8 left arrow 6.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.1 left arrow 5.4
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 14900
    左右 1.29 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    60 left arrow 48
  • 读取速度，GB/s
    6.8 left arrow 10.8
  • 写入速度，GB/s
    5.4 left arrow 8.1
  • 内存带宽，mbps
    14900 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1411 left arrow 2431

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB RAM的比较

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内存RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
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内存RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
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内存RAM
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
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Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
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Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
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Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
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Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
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内存RAM
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
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Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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