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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
比较
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
总分
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
总分
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
18.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
50
左右 -85% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
16.7
1,905.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
27
读取速度,GB/s
5,143.3
18.5
写入速度,GB/s
1,905.1
16.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
3767
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
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G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
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