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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB

总分
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

总分
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Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB

Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB

差异 规格 评论

差异

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB 需要考虑的原因
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    29 left arrow 54
    左右 46% 更低的延时
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB 需要考虑的原因
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    10.8 left arrow 10.5
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.7 left arrow 7.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 8500
    左右 2.26 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    29 left arrow 54
  • 读取速度，GB/s
    10.5 left arrow 10.8
  • 写入速度，GB/s
    7.1 left arrow 8.7
  • 内存带宽，mbps
    8500 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1425 left arrow 2277

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB RAM的比较

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Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
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内存RAM
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
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内存RAM
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G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
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内存RAM
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
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Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
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内存RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
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内存RAM
AMD R538G1601U2S 8GB
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Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
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内存RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
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内存RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
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内存RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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