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Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
比较
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB vs AMD R538G1601S2LS 8GB
总分
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB
总分
AMD R538G1601S2LS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.3
11.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
AMD R538G1601S2LS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
40
左右 -43% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
40
28
读取速度,GB/s
13.3
11.3
写入速度,GB/s
8.2
8.2
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
2288
1793
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
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