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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
比较
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
总分
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
51
64
左右 20% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.8
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.3
15.6
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
64
读取速度,GB/s
15.6
17.3
写入速度,GB/s
11.8
10.0
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2687
2181
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB RAM的比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Elpida EBJ40UG8EFU5-GNL-F 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
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