RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
比较
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
总分
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
51
左右 -143% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.7
15.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
11.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
21
读取速度,GB/s
15.6
19.7
写入速度,GB/s
11.8
14.5
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2687
3507
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link