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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
比较
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
总分
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2% 更高的带宽
需要考虑的原因
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
51
左右 -132% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
15.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
11.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
22
读取速度,GB/s
15.6
17.9
写入速度,GB/s
11.8
14.5
内存带宽,mbps
25600
21300
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2687
3411
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
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Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
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