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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
比较
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
总分
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
总分
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
53
左右 45% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.8
10.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20
15.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
53
读取速度,GB/s
15.8
20.0
写入速度,GB/s
11.8
10.2
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2711
2440
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
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G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
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Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
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