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Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
比较
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
总分
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
总分
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
差异
规格
评论
差异
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Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
16
26
左右 -63% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.1
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.6
7.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
16
读取速度,GB/s
12.3
22.1
写入速度,GB/s
7.1
18.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1952
3906
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB RAM的比较
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
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