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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

总分
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

总分
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Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

差异 规格 评论

差异

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB 需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    37 left arrow 54
    左右 31% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    13.9 left arrow 10.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.6 left arrow 8.2
    测试中的平均数值
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB 需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
报告一个错误
  • 更高的内存带宽，mbps
    23400 left arrow 12800
    左右 1.83 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    37 left arrow 54
  • 读取速度，GB/s
    13.9 left arrow 10.4
  • 写入速度，GB/s
    8.6 left arrow 8.2
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 23400
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2395 left arrow 2259

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较

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SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
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内存RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
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内存RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
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内存RAM
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
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Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
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内存RAM
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内存RAM
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Super Talent F21UB8GS 8GB
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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