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Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
比较
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
总分
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
总分
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
28
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.1
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.9
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
24
读取速度,GB/s
11.7
20.1
写入速度,GB/s
8.4
18.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1578
4207
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
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