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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F3-1600C10-8GSQ 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F3-1600C10-8GSQ 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
G Skill Intl F3-1600C10-8GSQ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
44
左右 5% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1600C10-8GSQ 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.2
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.8
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
12800
10600
左右 1.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F3-1600C10-8GSQ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
42
44
读取速度,GB/s
9.7
11.2
写入速度,GB/s
6.0
7.8
内存带宽,mbps
10600
12800
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
2082
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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G Skill Intl F3-1600C10-8GSQ 8GB RAM的比较
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
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