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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
42
左右 -27% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
33
读取速度,GB/s
9.7
15.4
写入速度,GB/s
6.0
10.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
2674
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
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