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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
42
左右 -56% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
27
读取速度,GB/s
9.7
16.0
写入速度,GB/s
6.0
12.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
2773
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
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