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OCZ OCZ2P11502G 2GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
比较
OCZ OCZ2P11502G 2GB vs Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
总分
OCZ OCZ2P11502G 2GB
总分
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
OCZ OCZ2P11502G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
3,658.9
1,869.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
64
66
左右 -3% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
OCZ OCZ2P11502G 2GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR2
PassMark中的延时,ns
66
64
读取速度,GB/s
5,201.6
4,477.7
写入速度,GB/s
3,658.9
1,869.1
内存带宽,mbps
6400
6400
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
排名PassMark (越多越好)
860
697
OCZ OCZ2P11502G 2GB RAM的比较
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB RAM的比较
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
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