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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB vs Kingston 99U5700-027.A00G 8GB

总分
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB

总分
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Kingston 99U5700-027.A00G 8GB

Kingston 99U5700-027.A00G 8GB

差异 规格 评论

差异

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB 需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    41 left arrow 46
    左右 11% 更低的延时
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB 需要考虑的原因
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    12.5 left arrow 12.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    10.8 left arrow 8.6
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 12800
    左右 1.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    41 left arrow 46
  • 读取速度，GB/s
    12.2 left arrow 12.5
  • 写入速度，GB/s
    8.6 left arrow 10.8
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2062 left arrow 2325

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB RAM的比较

Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB

Kingston 99U5700-027.A00G 8GB RAM的比较

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

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Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
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内存RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
内存RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
内存RAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
内存RAM
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
内存RAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
内存RAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
内存RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
内存RAM
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
内存RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663QZ3-CE7 2GB
Samsung M3 78T5663QZ3-CE7 2GB
内存RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
内存RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
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内存RAM
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
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内存RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Kingston XF875V-MIH 8GB
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内存RAM