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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
27
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
23
读取速度,GB/s
13.8
16.5
写入速度,GB/s
8.4
13.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3130
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
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