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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
27
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.5
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.3
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
24
读取速度,GB/s
13.8
19.5
写入速度,GB/s
8.4
16.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3718
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
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