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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
27
左右 -35% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.9
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
20
读取速度,GB/s
13.8
18.9
写入速度,GB/s
8.4
15.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3281
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
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