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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
27
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.9
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.9
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
24
读取速度,GB/s
13.8
19.9
写入速度,GB/s
8.4
15.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3779
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB RAM的比较
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
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