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PNY Electronics PNY 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
83
左右 67% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.4
7.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.3
13.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
83
读取速度,GB/s
13.8
14.3
写入速度,GB/s
8.4
7.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
1752
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kllisre 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
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