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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
12.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.0
8.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
38
左右 -36% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
28
读取速度,GB/s
16.7
12.2
写入速度,GB/s
10.0
8.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
2018
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB RAM的比较
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
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