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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
38
左右 -100% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.4
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
19
读取速度,GB/s
16.7
20.4
写入速度,GB/s
10.0
14.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
3066
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
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