RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
比较
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Corsair CMR16GX4M2C 8GB
总分
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
总分
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
66
左右 35% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.2
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.3
7.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
66
读取速度,GB/s
13.2
11.4
写入速度,GB/s
9.3
7.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2285
1604
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link