RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

总分
star star star star star
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

总分
star star star star star
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

差异 规格 评论

差异

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB 需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
报告一个错误
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB 需要考虑的原因
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    25 left arrow 43
    左右 -72% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    14.5 left arrow 13.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    10.7 left arrow 9.3
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 12800
    左右 1.5 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    43 left arrow 25
  • 读取速度，GB/s
    13.2 left arrow 14.5
  • 写入速度，GB/s
    9.3 left arrow 10.7
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2285 left arrow 2620

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB RAM的比较

G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB

Micron Technology AFSD416ES1P 16GB RAM的比较

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
内存RAM
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
内存RAM
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
内存RAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
内存RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
内存RAM
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
内存RAM
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
内存RAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
内存RAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
内存RAM
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
内存RAM
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
内存RAM
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
内存RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
内存RAM
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
内存RAM