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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
比较
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
总分
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
28
左右 11% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.2
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
28
读取速度,GB/s
15.3
18.0
写入速度,GB/s
9.8
16.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2646
3933
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
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G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
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