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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
25
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
24
读取速度,GB/s
16.1
16.6
写入速度,GB/s
10.1
12.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3037
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
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G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
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