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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
27
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.1
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
27
读取速度,GB/s
16.1
17.1
写入速度,GB/s
10.1
13.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3350
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
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