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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBZL 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F3-14900CL10-8GBZL 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBZL 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
38
左右 34% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
14.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
12800
10600
左右 1.21% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBZL 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBZL 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
25
38
读取速度,GB/s
16.1
14.1
写入速度,GB/s
10.1
10.0
内存带宽,mbps
12800
10600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2661
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBZL 8GB RAM的比较
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
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