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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
30
左右 17% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.9
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
30
读取速度,GB/s
16.1
17.9
写入速度,GB/s
10.1
14.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3551
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
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Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
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