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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
27
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.9
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
27
读取速度,GB/s
16.1
17.9
写入速度,GB/s
10.1
14.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3514
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
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AMD R7S44G2606U1S 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBZL 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
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