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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
27
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.1
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
27
读取速度,GB/s
16.1
19.1
写入速度,GB/s
10.1
14.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3040
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
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