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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
28
左右 11% 更低的延时
需要考虑的原因
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.5
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
28
读取速度,GB/s
16.1
17.5
写入速度,GB/s
10.1
15.3
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3673
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
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