RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB

总分
star star star star star
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

总分
star star star star star
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB

Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB

差异 规格 评论

差异

Samsung 1600 CL10 Series 8GB 需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    25 left arrow 56
    左右 55% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.1 left arrow 9.3
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    10.1 left arrow 7.7
    测试中的平均数值
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB 需要考虑的原因
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
报告一个错误
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    25 left arrow 56
  • 读取速度，GB/s
    16.1 left arrow 9.3
  • 写入速度，GB/s
    10.1 left arrow 7.7
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2764 left arrow 2200

Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较

G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB RAM的比较

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
内存RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
内存RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
内存RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
内存RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
内存RAM
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
内存RAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
内存RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
内存RAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
内存RAM
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
内存RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
内存RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
内存RAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
内存RAM
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
内存RAM