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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
28
左右 11% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.6
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
28
读取速度,GB/s
16.1
18.6
写入速度,GB/s
10.1
15.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3552
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
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Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
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