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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB

总分
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

总分
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Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB

Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB 需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB 需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    28 left arrow 43
    左右 -54% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    18 left arrow 14.9
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    14.5 left arrow 9.6
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    43 left arrow 28
  • 读取速度，GB/s
    14.9 left arrow 18.0
  • 写入速度，GB/s
    9.6 left arrow 14.5
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2506 left arrow 3490

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