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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
14.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
43
左右 -13% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.9
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
38
读取速度,GB/s
14.9
14.3
写入速度,GB/s
9.6
10.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2638
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
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Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
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