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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB

总分
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

总分
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB

差异 规格 评论

差异

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB 需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    33 left arrow 43
    左右 -30% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.5 left arrow 14.9
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    13.6 left arrow 9.6
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 12800
    左右 1.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    43 left arrow 33
  • 读取速度，GB/s
    14.9 left arrow 16.5
  • 写入速度，GB/s
    9.6 left arrow 13.6
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2506 left arrow 3367

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较

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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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内存RAM
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
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Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
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内存RAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
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内存RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
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内存RAM
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
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Kingston K821PJ-MIB 16GB
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内存RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
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内存RAM
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内存RAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
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内存RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
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