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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
43
左右 -115% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.3
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
20
读取速度,GB/s
14.9
20.3
写入速度,GB/s
9.6
15.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
3632
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
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Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
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