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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
12.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
43
左右 -2% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.5
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
42
读取速度,GB/s
14.9
12.9
写入速度,GB/s
9.6
12.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
3126
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
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Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
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