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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB

总分
star star star star star
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

总分
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Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB 需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    43 left arrow 77
    左右 44% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    14.9 left arrow 13.6
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    9.6 left arrow 6.9
    测试中的平均数值
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB 需要考虑的原因
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
报告一个错误
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 12800
    左右 1.5 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    43 left arrow 77
  • 读取速度，GB/s
    14.9 left arrow 13.6
  • 写入速度，GB/s
    9.6 left arrow 6.9
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2506 left arrow 1549

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较

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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
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内存RAM
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Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
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内存RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
内存RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
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内存RAM
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
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内存RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
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内存RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
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内存RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
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内存RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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内存RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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