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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
43
左右 -8% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.2
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
40
读取速度,GB/s
14.9
14.8
写入速度,GB/s
9.6
11.2
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2709
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
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A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
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OCZ OCZ2SI8002G 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
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