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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
10.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
59
左右 -55% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
38
读取速度,GB/s
4,833.8
15.0
写入速度,GB/s
2,123.3
10.7
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2845
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
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Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
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