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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
15.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
59
左右 -103% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
29
读取速度,GB/s
4,833.8
18.5
写入速度,GB/s
2,123.3
15.2
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3784
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
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