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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
13.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
59
左右 -119% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
27
读取速度,GB/s
4,833.8
17.9
写入速度,GB/s
2,123.3
13.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3396
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
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Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
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