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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB

总分
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

总分
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB 需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 18.3
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    2,123.3 left arrow 15.8
    测试中的平均数值
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB 需要考虑的原因
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    27 left arrow 59
    左右 -119% 更低的延时
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 6400
    左右 3 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    59 left arrow 27
  • 读取速度，GB/s
    4,833.8 left arrow 18.3
  • 写入速度，GB/s
    2,123.3 left arrow 15.8
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    731 left arrow 3899

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM的比较

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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
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内存RAM
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
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内存RAM
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
内存RAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
内存RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
内存RAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
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内存RAM
AMD AE34G2139U2 4GB
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UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
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内存RAM
Mushkin 991586 2GB
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G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
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内存RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
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内存RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
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内存RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Kingston 9905622-025.A00G 4GB
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内存RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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