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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston KY7N41-MID 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Kingston KY7N41-MID 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
11.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KY7N41-MID 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
59
左右 -69% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
35
读取速度,GB/s
4,833.8
15.5
写入速度,GB/s
2,123.3
11.8
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2869
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM的比较
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
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Kingston KY7N41-MID 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
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Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
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