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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
59
68
左右 13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
16.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.9
2,123.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
68
读取速度,GB/s
4,833.8
16.9
写入速度,GB/s
2,123.3
8.9
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2007
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
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