RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB

总分
star star star star star
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

总分
star star star star star
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB 需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 11.7
    测试中的平均数值
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB 需要考虑的原因
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    31 left arrow 59
    左右 -90% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    6.8 left arrow 2,123.3
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 6400
    左右 2.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    59 left arrow 31
  • 读取速度，GB/s
    4,833.8 left arrow 11.7
  • 写入速度，GB/s
    2,123.3 left arrow 6.8
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    731 left arrow 1763

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM的比较

Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB

Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
内存RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
内存RAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
内存RAM
Kingston 9905403-518.A00LF 8GB
Kingston 9905403-518.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
内存RAM
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
内存RAM
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
内存RAM
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
内存RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
内存RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
内存RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
内存RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
内存RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
内存RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
内存RAM
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
内存RAM