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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
69
左右 -116% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.8
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
32
读取速度,GB/s
4,217.2
16.6
写入速度,GB/s
1,857.7
12.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3293
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
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